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低缺陷密度的单晶冷却技术

截止时间：2020-12-31 发布时间：2020-04-05 投入预算：100 万元 联系人：孙婧楠 宁夏回族自治区银川市

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需求简介

据研究，单晶缺陷会在一定温度范围内产生，而晶体冷却过程刚好要经过这样的温度区间，因此控制晶体冷却的过程非常必要。目前经过我们的改造，在单晶生产设备中加装一水冷装置，可使单晶的生长速度大幅度提高， 同时单晶冷却过程中热历史也随着改变，因此研究热历史对晶体缺陷的影响对于提高单晶品质非常重要。

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