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基于绝缘栅双极晶体管（IGBT）结构上由BJT和MOSFET组合而成，兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点，是未来功率半导体应用的主要发展方向之一。IGBT是一个非通即断的开关器件，通过栅源极电压的变化控制其关断状态，能够根据信号指令来调节电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的，是能量变换与传输的核心器件。
碳中和是 IGBT 需求的根本驱动。碳中和的要求驱动了清洁能源发电领 域的快速发展，以及电动汽车渗透率的迅速提升。在消耗端，碳中和对工业 用电提出了更严格的要求，使得变频器等节能装备的普及进一步扩大。IGBT 作为电力转换的核心，在以上领域有着广泛的应用，市场空间巨大。希望能和在电子信息领域拥有一流学科的高校开展产学研合作，专家团队在集成电路设计、半导体封测等领域有较深的研究，有一定的科技成果，可实现研发成果的转化，能和企业共同完成研发类项目，帮助企业培养自身的研发类人才。
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