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在实际（CZ）生产的单晶生长过程中，由于生长工艺，外界环境及杂质等因素的影响，实际晶格排列结构与理想晶格存在较大差距，即形成所谓的单晶缺陷，将给后续太阳能电池制造带来严重影响。目前随着光伏行业的深入发展，下游太阳能电池厂商选择品质更佳的硅片作为其衬底材料，只有拥有高品质完美晶格的单晶硅片的企业才能在竞争中立于不败之地，拉速是拉晶过程中的重要参数之一，在整个拉晶过程中拉速是不断变化的，拉速的变化是造成晶体缺陷的主要原因之一，因此掌握拉速变化幅度和频率对晶体缺陷的影响程度对提高单晶硅品质具有重要的意义。
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