交易价格： 面议
类型： 实用新型专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201320044829.2
交易方式： 完全转让
联系人： 南昌大学科技园
所在地：江西南昌市
介绍 本实用新型公开了新型集成电路封装结构，涉及电路封装技术领域，具体涉及集成电路封装结构的改进技术。包括基体（1），基体（1）上面有凹槽，电子芯片（2）设置于凹槽中，在电子芯片（2）上面有荧光粉封装层（3）；在凹槽底部还设置有底板（4），底板（4）上有散热孔（5），散热孔（5）贯通至基体（1）底面。所述散热孔（5）的直径为1。5-2。6毫米。本实用新型解决了现有的集成电路封装结构存在散热性不良，无法保证集成电路稳定可靠的工作的问题。
正文 实用新型内容
[0004] 本实用新型提供新型集成电路封装结构，本实用新型解决了现有的集成电路封装结构存在散热性不良，无法保证集成电路稳定可靠的工作的问题。
[0005] 为解决上述问题，本实用新型采用如下技术方案：新型集成电路封装结构，包括基体1，基体1上面有凹槽，电子芯片2设置于凹槽中，在电子芯片2上面有荧光粉封装层3；在凹槽底部还设置有底板4，底板4上有散热孔5，散热孔5贯通至基体1底面。所述散热孔5的直径为1。5-2。6毫米。
[0006] 本实用新型在电子芯片所在的凹槽的底面设置有散热孔，因此，提高封装电路的散热性能，可确保集成电路稳定可靠的工作。
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