技术简介： 一种通过素坯破碎过筛提高ITO粉末松装密度和振实密度的方法，属于粉末冶金技术领域。将已制成的ITO粉末进行模具压制成素坯后，对素坯破碎过筛混合，以达到快速提高粉末松装密度和振实密度的目的…… 查看详细 >
技术简介： 一种硅锰合金除尘灰综合利用与废酸生产电池级硫酸锰的方法，用20%的稀硫酸洗涤低品位硅锰合金除尘灰，除渣后得到硫酸盐溶液，所述硫酸盐包括硫酸锰、硫酸钙、硫酸铝、硫酸镁，调节硫酸盐溶液中…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提出的一种高温还原法调质硅锰渣提锰并制备高酸度系数渣液的方法，在调质炉的底部铺放还原剂，将硅锰渣加入至上述调质炉内，使二者充分接触，保持调质炉内的温度为1450℃-1600℃，保温3-6…… 查看详细 >
技术简介： 一种碳化硅结合氮化硅糊料，由如下原料按重量比组成：18％～20％高质密碳化硅、12％～15％高强度氮化硅、35％～53％电煅无烟煤、7％～14％高纯石墨碎、6％～11％残阳极、13％～15％粘结剂，本发…… 查看详细 >
技术简介： 本发明一种氮化硅粉体的制备方法，其包括以下步骤：1、向高压反应器中加入1000份液氨并升温；2、在搅拌情况下向高压反应器中加入50～200份氯代乙硅烷；3、使用密闭式过滤装置过滤反应产物；4、…… 查看详细 >
技术简介： 一种高温共烧陶瓷用氮化铝生瓷片的制备方法，包括以下步骤：1）装入研磨球；2）配置浆料；3）一次研磨；4）配置流延浆料；5）二次研磨；6）真空脱泡；7）流延成型：将真空脱泡后的流延浆料移至…… 查看详细 >
技术简介： 一种钠镍电池电解质β”‑Al2O3陶瓷的制备方法，将原料为99.99%的α‑Al2O3粉末、Na2O粉末、MgO粉末依次混料、煅烧、球磨、掺杂、造粒、成型、烧制步骤，得到一种钠镍电池电解质β”‑Al2O3陶瓷…… 查看详细 >
技术简介： 一种氮化铝陶瓷烧结用氮化硼炉具的处理方法，属于氮化硼陶瓷烧结技术领域，本发明在将氧化铝陶瓷烧结材料投入石墨炉之前，对石墨炉内的氮化硼炉具进行氧杂质去除，以保证氮化铝陶瓷的性能，具体…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种以氧化铟-氧化锡混合粉为原料的高世代液晶面板用ITO溅射靶的制造方法，尤其是一种含In4Sn3O12相ITO溅射靶的制造方法。其特点是，包括如下步骤：(1)将经过热处理的氧化铟与氧化锡…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种掺杂氧化锌基溅射靶材及其制备方法，其特点是化学式为：ZnxAlyMz，其中Al为第一掺杂剂，第二掺杂剂M为选自W、Mo、Nb、Zr、Ce和V中至少一种，其中以原子百分比计91.5＜x＜98.9；1…… 查看详细 >
技术简介： 一种高纯硫酸锰与硫磺焙烧制备电池级氧化锰与附产硫酸工艺，用20%的稀硫酸洗涤低品位硅锰合金除尘灰，除渣后得到硫酸盐溶液，调节硫酸盐溶液中硫酸钙、硫酸铝、硫酸镁的浓度，以使硫酸钙、硫酸…… 查看详细 >
技术简介： 一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材及其制备方法，该靶材密度≥4.5g/cm3，电阻率≤1.4×10-3Ω·cm，长度≥400mm，壁厚6—14mm。制备方法包括以下步骤：1）粉末混合：将氧化铌粉末与金属铌粉进行机械…… 查看详细 >
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