发布时间：2016-09-21 00:00 发布单位：科技部
日本东北大学的研究组开发了基于新一代内存——磁阻式随机存取内存（MRAM）提升读写性能的技术。读写信息所需的磁性隧道结（MTJ）元件的输出大约提高到了以前的2倍（200毫伏）。研究组在元件构成材料组合方面反复研究，实现了薄而均一的层叠技法，有望对MRAM产业化所需的容量和高集成化做出贡献。
东北大学与CANON ANELVA公司进行了共同开发。MRAM是通过在MTJ元件内两个磁性方向加载电压而产生变化来读写信息。本次开发将MTJ元件的氧化镁绝缘层厚度均匀地制成了9埃（100亿分之一米）薄度。另外，构成MTJ元件薄膜层中加入钨层，提高了垂直方向的磁化安定性。在信息的读入和写入之外，为了不用电，可在几十纳秒（10亿分之一）的极短时间内进行写入。
今后，研究组计划研发与安定性磁化及其低阻态相关联的技术，提升MRAM的写入速度及消减电耗，并促其产业化。
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