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[00314993]一种基于钛酸铋的阻变存储器及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 专利

技术成熟度： 已有样品

专利所属地：中国

专利号：201310145707.7

交易方式： 完全转让

联系人： 桂林电子科技大学科技园

所在地：广西壮族自治区桂林市

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产权明晰
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对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

以Bi4Ti3O12及其掺杂物作为阻变存储器的介质层，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr。采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。

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