[00283715]双频带全光吸收器结构

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710598759.8

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：江西师范大学

所在地：江西南昌市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：一种双频带全光吸收器结构，所述全光吸收器为银‑单晶硅复合结构，通过在不透光的银膜层上雕刻圆环形沟槽的周期性阵列结构，然后在沟槽中填充单晶硅材料。本发明利用银膜层的不透光特性以及银沟槽提供的电磁共振行为以及单晶硅环形腔体的光学共振响应，实现了在可见光‑近红外频段的双频带全光吸收。该银‑单晶硅复合结构具有吸收光谱在频域上可调谐和结构简单的特性，特别是单晶硅材料由于是嵌套在金属银膜层中，因而可以更为有效地受到金属结构等离激元共振效应的强近场局域与增强效应。

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