[00282535]单片集成半导体激光器阵列的制造方法及装置

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200810156592.0

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

单片集成半导体激光器阵列的制造方法，在激光器阵列中的每个激光器DFB光栅结构采用取样布拉格光栅结构，阵列中每个DFB半导体激光器波导里的光栅是取样布拉格光栅，取样布拉格光栅含有对应普通布拉格光栅的等效光栅；DFB半导体激光器的激射波长在此取样布拉格光栅的等效光栅作用带宽里，由取样布拉格光栅的取样结构的取样周期决定，改变取样周期就可改变激射波长。使用刻有各种取样图案的掩模板，增大或减小采样周期，使DFB激光器激射波长靠近或远离中心波长，实现不同的波长激射，实现多通道的多波长激光器阵列；本发明在亚微米级精度上实现各种复杂的等效相移，即对应的等效光栅具有λ/4相移，λ/8相移及CPM结构。

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