[00282531]基于叠印啁啾结构的DFB半导体激光器及激光器阵列
交易价格：
面议
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201310717150.X
交易方式：
完全转让
许可转让
技术入股
联系人：
南京大学
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种基于叠印啁啾结构的DFB半导体激光器，激光器腔内的光栅采用叠印啁啾光栅结构，由两个完全相同纳米精度的啁啾光栅在激光器腔内纵向排列组成；两个啁啾光栅级联或者重叠写入。两个完全相同的啁啾光栅在激光器光栅层纵向叠印后，可以以这两个光栅为反射面形成分布式谐振腔，从而产生多波长激射。为了降低加工成本，引入重构‑等效啁啾技术（REC技术），将加工精度要求从亚纳米降低到亚微米，本发明还提供两种DFB半导体激光器单片集成的激光器阵列。基于REC技术的叠印啁啾结构的多波长DFB半导体激光器，采用采样布拉格光栅替代普通布拉格光栅，用等效光栅来实现叠印啁啾结构，降低了工艺的复杂程度，也提高了成品率。
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