[00282518]532nm半高斯激光束发生器
交易价格:
面议
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201110005840.3
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
南京大学
所在地:江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
532nm半高斯激光束发生器,包括泵浦光源、准直系统、柱透镜、一片侧向调制的周期性极化的光学超晶格、控温炉、对1064nm激光的滤波系统;周期性极化的光学超晶格材料为LiTaO3,周期为7.505μm,用以实现1064nm激光频率转换为532nm激光,所述超晶格的极化畴边缘在晶体的通光方向分布为e指数型;泵浦光源发出的1064nm的高斯激光入射到准直系统、经柱透镜聚焦到光学超晶格中,并且超晶格的畴边缘通过入射的泵浦光源的高斯激光束的中心;在超晶格出射光路上用1064nm激光的高反镜以及干涉滤波片构建的滤波系统滤掉出射光束中的1064nm泵浦光,得到532nm半高斯激光。其结构紧凑,体积小。